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半导体与量子力学的关系(整理2篇)

时间: 2024-09-13 栏目:办公范文

半导体与量子力学的关系范文篇1

关键词:专业建设;学科建设;品牌专业;新专业;信息与通信工程学科

中图分类号:G647文献标志码:A文章编号:1674-9324(2013)44-0219-04

学科发展与专业建设是支撑与推动大学运行的两翼。作为以人才培养为主要工作内容的高等学府,通过加强学科建设,促进专业建设水平的提高,继而提高人才培养的质量,是一条行之有效的途径。通过加强信息与通信工程学科的建设,我们以重点专业为依托,调整专业结构,拓宽专业口径,改造原有优势专业通信工程、电子科学与技术、电子信息工程和电子信息科学与技术,培育品牌专业和特色专业。为使专业设置、课程体系建设能够满足行业企业需求和学生就业需要,对接产业结构、优化专业结构,我们合理设置光源与照明新专业。建设与区域经济发展密切相关、行业特色鲜明、模式先进的重点专业,形成全新的专业人才培养方案,显著提高专业整体建设水平。

一、学科建设和专业建设的辩证关系

学科建设是龙头,专业建设是依托。学科从本源上讲,要先于专业,是专业的基础,但是学校的首要功能是人才培养,其次才是科学研究。所以学校建设,首先是进行专业建设,然后才能进行学科建设。若从发展和提高这个角度来讲,学科建设则是学校建设的龙头。因为学科不仅先于专业,而且高于专业。专业不论是学科的分化,还是学科的综合,都是以学科为基础的。要提高专业水平,必须以提高学科水平为前提,所以学校建设必须以学科建设为龙头[1]。我们提出学科建设和专业建设中应做到兼顾发展,协调发展,坚持以学科建设为龙头,以专业建设为依托,统筹规划,整体推进,避免投入分散、建设重复,从而使有限的办学资源得到充分利用。天津工业大学电子信息与工程学院信息与通信工程一级学科是天津市高校“十二五”综合投资规划二类学科。通信与信息系统二级学科是天津市高校“十一五”综合投资规划重点建设学科,电子科学与技术学科为该学科的支撑学科。在“十五”期间,通信与信息系统学科为我校天津市“十五”重点建设学科“计算机应用技术”的支撑学科。经过“十五”、“十一五”和“十二五”建设,本学科发展迅速,在队伍建设、平台建设、科研等方面已具有一定的基础。从建院以来,学院就始终坚持“以学科建设为龙头,以教学为支撑,以科研为骨架,做好龙头,做实支撑,做强骨架”的指导思想。为了作好龙头工作,早在建院时就成立了学科建设办公室,负责全院学科建设的统筹和规划。我们充分认识到学科建设不是一项独立的工作,需要聚全院之力,形成合力,共同努力,才能取得实效。因此围绕学科建设这个龙头开展各自的工作,我们注重发动学院各系部主任共同参与学科建设管理工作中来。这样使得针对学科和专业建设的院领导、各系部主任能够根据学院的总体学科和专业发展规划,来具体制定本系部的工作计划,避免了以往各自在科学研究方向凝练、人才引进,设备和资金投入、基地建设等方面的盲目性和分散性。在学科建设和专业建设中做到兼顾发展,协调发展,尤其对于新建学院,在财力有限的情况下,做到“有所为,有所不为”。十多年的实践表明,这样的管理方式对学科和专业建设起到了重要的作用,是一条很好的途径。通过加强学科建设,促进了专业建设水平的提高,从而提高了人才培养的质量。

二、学科发展促进原有优势专业的建设

依托于天津市高校“十五”、“十一五”、“十二五”重点学科建设,我们加强了通信工程、电子信息工程、电子科学与技术、电子信息科学与技术等专业的改造,积极探索传统专业与现代科学技术结合的有效途径,保持学科专业的优势与特色,不断充实专业内涵,拓宽专业口径,推进专业品牌建设。我校1999年设立了通信工程专业,2000年开始招生。自开设以来学校非常重视该专业的建设,并列为重点建设专业。在“十五”期间,通信工程专业作为天津市“十五”重点建设学科专业,得到了天津市“十五”重点建设学科和中央地方共建投资的经费支持;在“十一五”期间,该专业继续得到了天津市高校“十一五”综合投资学科建设项目、天津市重中之重学科“通信与信息系统”和中央地方共建的经费支持。获得了与该专业相关的信息与通信工程一级学科下所有二级学科通信与信息系统、信号与信息处理的硕士学位授予权。多年来,通信工程专业坚持以社会需求为导向,以学科建设为龙头,以深化改革为动力,以本科教育为主体,以应用型人才培养为定位,全面培养和造就厚基础、宽口径、具有创新精神和实践能力的高级专门人才的专业建设思路。

1.在本专业人才培养方案方面,开展了“面向天津市信息产业链,产学研结合培养应用型高级专门人才”子项目“面向天津市产学研结合本科通信工程专业人才培养模式研究”研究,建立了与之相适应的课程体系,并加强推广应用,并获得了国家教学成果二等奖;建设了《电路理论》、《通信原理》市级精品课程,《高频电子技术》和《信号与系统》校级优秀课程;依据所建立的课程体系和课程建设要求,积极改革教学内容,出版了适应该培养模式下的《电路理论》、《高频电子技术》(教育部“十一五”规划教材)、《数字图像处理技术与应用》(教育部“十一五”规划教材)、《现代通信原理及应用》(天津市“十五”规划教材)和《计算机通信网》等系列教材。

2.学科建设的内涵建设使通信工程专业的师资队伍大为改善,建立了一支以博士、教授为骨干力量的高水平师资队伍,高级职称教师比例为35%,具有博士学历的比例为44%,另有5位青年教师在在职攻读博士学位。学科建设过程中研究方向的凝练进一步提高了科学研究理论水平,实验室建设成为教学、科研、学术活动、青年教师培养的基地。高水平学科培养的大量高素质硕士和博士,对于本科生进一步深造起到引领示范作用,为学生今后的深造与发展创造了空间。

3.为培养具有创新能力、创造能力、实践能力和就业能力的通信工程专业应用型人才,开展了校企合作办学“第二校园计划”,建立了以摩托罗拉(天津)电子有限公司、飞思卡尔半导体(天津)有限公司为基地的“第二校园”,以天津市北海通信技术有限公司、南大整理公司、天津市中环电子信息集团有限公司、准讯电子、森特尔新技术有限公司、南大强芯半导体芯片设计有限公司、海博光电科技有限公司、天津市智博通讯有限公司、深圳骏遒电子有限公司和深圳讯方公司等为实践平台的工业级实习基地,培养了一批优秀的本科毕业生。

4.面向学生建立了多层次学科竞赛平台,支持学生参加国家级、市级及学校组织的各项科技竞赛,在参加比赛的过程中锻炼学生独立分析问题和解决问题的能力。通信工程专业学生目前已多次参加全国大学生电子设计竞赛、Freescale电子设计竞赛、数学建模、“创兴杯”大赛等重大赛事,并取得了优异的成绩。

依托于天津市高校“十五”、“十一五”、“十二五”重点学科建设,通信工程专业办学条件日趋完备,专业水平显著提高,正逐步向教学—实践—就业的一体化培养模式目标迈进,是天津市市属高校中处于领先地位的专业之一,本专业已成为天津市高等学校“十二五”综合投资规划品牌专业。

三、学科发展促进新增专业的建设

半导体照明技术与工程一直是天津工业大学重点支持和发展领域,学校在各个方面对半导体照明领域的发展给予全力支持,扩建现有实验室,进一步增强本专业学生实践能力的培养实力。目前,天津工业大学是“大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心”和“天津市大功率半导体照明技术工程中心”的依托单位,“中心”不仅关注于高端和前瞻性的研究和开发,还特别强调后续应用性的研发,通过专业化研发分工管理以及合作产业化企业,形成产学研一体化的高效体系,持续增强核心竞争力,快速提升行业地位。中心利用自身研发及成果转化优势,与世界同步地开展了半导体照明产业链各个环节的技术及产业化攻关,突破了从超高亮度外延材料、大功率照明应用产品、照明智能控制等一批应用瓶颈关键技术。目前已经在半导体照明领域各环节获得了数量众多的核心专利,并先后承担课题科研总经费1981万,完成了全球首批大规模商用化产品示范工程——天津工业大学新校区半导体照明示范工程、东北大学家属区照明示范项目、天津市小站新镇等大型项目,得到行业广泛认可,促进了中心与产业链上各环节的国内外实力企业建立了深入的合作关系。为加强科技成果向生产力转化的中间环节,促进科技的迅速产业化,中心与中科院物理所共建大功率发光芯片工艺实验室,与中环电子信息集团联合建设了LED外延材料生长工程化中试基地,与天津海宇照明技术有限公司和天津汽车灯厂建设了大功率半导体照明产品工程化中试基地,与世界级的半导体企业美国CREE公司、德国OSRAM公司及澳大利亚国家光电子实验室开展了广泛而深入的合作。天津工业大学、天津开发区和美国CREE公司向全世界公布开始共同推广中国首个LED绿色城市照明活动,率先走出了一条半导体照明行业的产学研共同发展之路。半导体照明产业是一个技术发展快、知识更新周期短的行业,现有专业教育传授的知识技能往往不够及时,滞后于快速发展的产业应用技术;LED产业需求的专业门类比较繁多,包含了光学、材料学、电子信息、机械等方面,而目前高校培养的基础类和传统照明的毕业生较多,还没有专门开设半导体照明技术与工程的专业技能课程,产业急需的具备光机电结合、集成创新的毕业生有效供给不足;同时,相当多的相关专业毕业生实践应用能力较弱,不能满足企业的岗位要求,企业岗前培训投入的成本较大,导致大多数企业不愿意招聘相关专业的应届毕业生。为了更能适应半导体照明领域的研发及生产的切实需要,加强我国在半导体照明领域的创新能力,摆脱目前关键材料与器件受制于发达国家的状况,半导体照明技术与工程专业人才将具有持续和潜在的市场需求,因此增设一个专门从事半导体照明技术与工程复合型人才培养的“光源与照明”专业显得十分必要和紧迫。

从2008年开始学院在电子科学与技术本科专业中设置了“半导体照明技术与工程”专业方向,并在2006、2007、2008级学生中各选出2个班,每班25人。2006、2007、2008级学生通过接受半导体照明技术与工程专业的课堂理论学习和实践能力的培养训练,经过各位专业教师在教材的选定、新教材及讲义的编写、教案及讲稿的精心准备、实验与实践科目选定及实践软硬件平台的细心搭建下,学生表现出较高的学习积极性和自主性,学习氛围和教学效果良好。在此基础上,我们申报了光源与照明本科新专业,教育部下发了《关于公布2009年度高等学校专业设置备案或审批结果的通知》(教高〔2010〕2号),我校申请增设的光源与照明本科专业(专业代码:080610W)获教育部批准,成为全国首个设置该专业且专门培养半导体照明技术人才的高校。这是我校为适应国家及天津市经济社会发展,特别是滨海新区开发开放对人才培养的要求,在本科专业建设方面的重大举措和突破。光源与照明专业开设“半导体照明材料与器件”和“半导体照明工程应用”两个专业方向,学制四年,毕业授予工学学士学位,2010年开始面向全国招生。该专业旨在培养具有良好光源与照明专业知识和创新能力,掌握照明用光源,尤其是半导体照明材料、装备、工艺及照明控制工程相关的理论知识与技术,具备半导体照明产品的设计、开发、制造、智能化控制、工程设计与施工、产品检测、技术管理等领域的实际工作能力,能够在半导体照明行业及其相关的集成电路设计与制造公司、光电子整机企业等单位胜任微光电子产品的研发、设计、制造、工程应用和性能测试等工作的复合型高级工程技术人才。在促进半导体照明技术产业化的同时,我们利用学科发展的契机,注重将科研优势向本科专业教学的延伸,通过在电子科学与技术等相关学科专业试办了“半导体照明技术与工程”专业方向,利用学科建设投资在全面完成学科建设任务的同时,也为新专业的建设拥有了良好的师资队伍和实验、实践教学条件。

四、学科发展促进教师队伍的建设

根据学校教师队伍建设的具体要求,信息与通信工程学科非常重视人才引进与培养。按照“引进、培养和使用”的师资队伍建设思路,积极引进高水平人才,师资队伍规模稳步扩大;对人员进行优化组合,引进、选拔、培养学科带头人,采取多种形式提高教师队伍的素质和水平。本学科共组织引进博士31人,其中天津市特聘教授1人、天津市特聘讲座教授1人,申报成功天津市千人计划2人。由于学院青年教师较多,学院借助重点学科建设搭建的平台,重视青年教师的培养与发展。按制定的《电子与信息工程学院新教师上岗制度》和《电子与信息工程学院青年教师培养制度》加强对青年教师的培养。为每一位35岁以下或参加教学工作不足两年的教师制定详细且切实可行的青年教师培养计划,采取导师制,以老带新,每一位青年教师都配有高学术水平的教师作为指导教师;请学术水平高、教学效果好、有丰富教学经验的专家、教授给中青年教师进行讲座或培训;派中青年教师到国内外高水平大学或研究机构进修学习和参加科研项目。创造条件,鼓励中青年教师攻读校内、外的博士学位,目前本科专任教师中具有硕士及以上学位的有教师64人,比例达到90.14%;拥有博士学位的教师37人,比例达到51.1%。

五、学科建设促进专业课程建设和教材建设

学科建设推动科学研究向更高层次发展,凝练学科方向,对于重点学科予以各方面扶持,确保相应学科获得高层次科研项目和科研成果,不但提升了学科在相关领域的影响力,提升了学科水平,也保障了学科最新研究成果及时走进课堂,学科前沿知识及时进教材,充实教学内容,提高了本科教学的层次,保障紧跟学科发展的前沿,从内容和认识上促进了本科教学水平的提高,加强了教学的深度,拓展了教学的广度。我们将精品课程建设与重点学科建设统筹考虑,鼓励广大教师将学科优势与科研成果服务于教学和向教学转化,进一步优化了专业必修课教学内容,调整选修课课程结构,把新理论、新知识、新方法、新技术融入教学之中。目前已具有《电路理论》、《通信原理》市级精品课程,《高频电子技术》和《信号与系统》校级优秀课程。学科的发展也带动了教材的建设。依据所建立的课程体系和课程建设要求,积极改革教学内容,出版了适应该培养模式下的《电路理论》、《高频电子技术》(教育部“十一五”规划教材)、《数字图像处理技术与应用》(教育部“十一五”、“十二五”规划教材)、《现代通信原理及应用》(天津市“十五”规划教材、天津市“十二五”规划教材、工业和信息化部普通高等教育“十二五”规划教材)和《计算机通信网》等系列教材。

六、学科发展促进专业实验室的建设

依托于天津市高校“十五”、“十一五”、“十二五”重点学科建设,我们投入大量学科建设经费,以开设设计型和综合型实验为目标,加大专业实验室建设力度,建立了一个从信息采集与检测、信息处理与分析到信息传输与应用的功能完备、特色突出的信息与通信工程学科科技创新平台,为本科教学开展创新实践提供了开放式平台,成为了高水平教学科研专业实验室,对于培养本科生探索精神、创新意识起到了积极作用。

充分利用建设信息与通信工程学科创新平台的契机,我们改造了实践教学设施和基地,建设了一个从信息采集与检测、信息处理与分析到信息传输与应用的完整的电子信息专业实验创新平台。其中电子信息工程综合实验室、虚拟仪器实验室等主要提供信息检测与传感的实验平台;信号与信息处理实验室等主要提供现代信息处理与分析的实验平台;现代通信系统与工程实验室、现代通信网络实验室等主要实现信息传输的实验平台;集成电路设计实验室、半导体器件原理与测试综合实验室等主要实现半导体器件和大规模集成电路的设计和测试。信息与通信工程学科创新平台为现代通信网络及通信技术应用研究、通信中的信息处理、通信中关键器件研究及设计三个研究方向提供自器件—电路—系统自底向上的硬件研究体系,可以相互呼应,构成电子信息专业整体的教学科研实践创新平台。该创新平台的建立,有利于培养应用型、创新型人才,不仅为本学科的科研人员、研究生进行科学研究提供科研平台,为建设高水平的科研团队奠定基础,也为本科教学提供了优异的实验条件,较大程度改善了实验室软、硬件条件。通过充分利用学科建设创造的良好实验和设备条件,我们通过不懈努力,积极创造良好的学术创新氛围,开展了校企合作办学“第二校园计划”,建立了以摩托罗拉(天津)电子有限公司、飞思卡尔半导体(天津)有限公司为基地的“第二校园”,以天津市北海通信技术有限公司、南大整理公司、天津市中环电子信息集团有限公司、准讯电子、森特尔新技术有限公司、南大强芯半导体芯片设计有限公司、海博光电科技有限公司、天津市智博通讯有限公司、深圳骏遒电子有限公司和深圳讯方公司等为实践平台的工业级实习基地。2011年学院2009、2010级学生中就有815人次以上(不包括校四杯一会竞赛)参加各类学科竞赛,参与比例达到77%。学院有355人次在校级及以上竞赛中获奖,获奖率达到18.67%;共有167人次在市级及以上竞赛中获奖,获奖率达到8.78%。充分利用校企合作开展第二课堂活动的机会,学生不仅在校内外科技竞赛中取得了巨大成绩,在校外企业生产发明方面也取得重大突破。学院2009级本科生宋功明在天津麦奥合同能源管理有限公司实习期间研制的MOS管电子镇流器的功耗仅有0.7瓦,为国内同行最低。该镇流器节能超过40%,且稳定性强,寿命远远高于传统电子镇流器。这项研究成果已申请国家专利,由位于滨海新区的天津麦奥合同能源管理有限公司投产。该公司应用本厂日光灯灯管配合这款镇流器,使该厂日光灯在节能和寿命等方面可与LED灯比肩。宋功明同学的这一发明创新也是电子与信息工程学院在开展第二课堂活动方面取得的一个成果。宋功明同学的发明已经被搜狐网、北方网、网易等媒体争相报道。

综上所述,依托于天津市高校“十五”、“十一五”、“十二五”重点学科建设,加强了通信工程专业的改造,保持学科专业的优势与特色,不断充实专业内涵,拓宽专业口径,推进通信工程专业品牌建设。在促进半导体照明技术产业化的同时,注重将科研优势向本科专业教学的延伸,通过在“电子科学与技术”等相关学科专业试办“半导体照明技术与工程”专业方向,成功申报“光源与照明”本科新专业。将精品课程建设与重点学科建设统筹考虑,鼓励广大教师将学科优势与科研成果服务于教学和向教学转化,进一步优化了专业必修课教学内容,调整选修课课程结构,把新理论、新知识、新方法、新技术融入本科教学之中。建设高水平信息与通信工程学科创新平台,在提升学科综合竞争力的同时,为本科实践教学提供开放式平台,对于培养本科生探索精神、创新意识起到了积极作用。

半导体与量子力学的关系范文篇2

自上世纪中期投入应用以来,半导体已经深入到人们的生活、学习和工作的方方面面,给电子工业带来革命性的影响。但是这个时刻陪伴身边的半导体究竟是什么?

中国科学院王占国院士同半导体打了一辈子交道,他这样回答:半导体是介于导体和绝缘体之间的一类材料。它有四个特点:热敏性,与金属不同,半导体的电阻与温度变化是相反的,电阻越小温度越高;光敏性,光一照,它的电导就发生变化;光伏效应,光照产生光电压;整流效应,从A端到B端是通的,从B端到A端就不通了。

半导体的特性为我们带来了无穷益处:“如发射一吨重的卫星,假如用晶体管代替电子管重量可减轻100千克,就可以节省9吨的燃料。它不仅广泛应用在航空航天、人造卫星等高科技领域,而且是我们生活中不可或缺的:医学上的核磁共振仪,日常用的收音机、电视机、洗衣机、微波炉、电冰箱、电子表、手机……里面核心控制的设备都是半导体。半导体应该说是无孔不入、无处不在。”

硅作为半导体材料的代表,现在已经成为微电子技术的基础材料,我们用的电子元器件和电路的90%都是硅材料。使用硅材料做集成电路,产值已达到每年约3000亿美元,由硅材料做成的器件和电路可以拉动几万亿美元的电子产业,半导体硅材料可以说是信息时代的基础。

追随一生的半导体

王占国1938年12月29日生于河南镇平。1962年毕业于南开大学物理系,同年到中科院半导体所工作。从那时起,他的人生脚步,就没有离开过半导体这个领域。

参加工作以后,王占国致力于半导体材料光电性质和硅太阳电池辐照效应研究。其中,硅太阳电池电子辐照效应研究成果为我国人造卫星用硅太阳电池定型(由PN改为NP)投产起了关键作用。

1971~1980年,他负责设计、建成了低温电学测量和光致发光实验系统,并对GaAs和其它III-V族化合物半导体材料的电学、光学性质进行了研究。其中,体GaAs热学和强场性质的实验结果以及与林兰英先生一起提出的“GaAs质量的杂质控制观点”,对我国70年代末纯度GaAs材料研制方向的战略转移和GaAs外延材料质量在80年代初达国际先进水平贡献了力量。

1980~1983年,经黄昆和林兰英两位所长推荐,他赴国际著名的深能级研究中心瑞典隆德大学固体物理系,从事半导体深能级物理和光谱物理研究。在该领域权威H.G.Grimmeiss教授等的支持和合作下,做出了多项有国际影响的工作:提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同一缺陷不同能态新方法,解决了国际上对GaAs中A、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论;提出了混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理新模型,解释了它们的物理实质;澄清和识别了一些长期被错误指派的GaAs中与铜等相关的发光中心等。

1984~1993年,在半导体材料生长及性质研究中,提出了GaAs电学补偿五能级模型和电学补偿新判据,为提高GaAs质量、器件与电路的成品率提供了依据。与人合作,提出了直拉硅中新施主微观结构新模型,摒弃了新施主微观结构直接与氧相关的传统观点,成功地解释了现有的实验事实,预示了它的新行为;与龚秀英等同事合作,在国内率先开展了超长波长锑化物材料生长和性质研究,并首先在国内研制成功InGaAsSb,AlGaAsSb材料及红外探测器和激光器原型器件。

他协助林兰英先生,开拓了我国微重力半导体材料科学研究新领域,首次在太空从熔体中生长出GaAs单晶并对其光、电性质作了系统研究,受到国内外同行的高度评价。

他于1986年任半导体所研究员,材料室主任;1990年任博士生导师,1991~1995年担任副所长;1995年当选为中国科学院院士。1991~2001年任国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长,因对863计划做出突出贡献,2001年863计划实施十五周年时,被科技部授予先进个人称号;1996~2000年任国家S-863计划纲要建议软课题研究新材料技术领域专家组组长;2003年任国家材料中长期科技发展战略研究新材料专家组组长;1997~2002年和2006~2009年任国家自然科学基金信息学部半导体学科评审专家组组长等。此外,还有多种学术兼职。

任863专家委员会委员期间,他积极推动了我国全固态激光器的研发和半导体照明事业的发展。如今,我国的半导体白光照明已经处于国际先进水平,极大地促进了节能环保事业的发展。

从上世纪90年代起,他工作的重点已集中在半导体低维结构和量子器件这一国际前沿研究方面,先后主持和参与负责十多个国家863、973,国家重点科技攻关,国家自然科学基金重大、重点和面上项目以及中科院重点、重大等研究项目。

他和MBE组的同事一起,在成功地研制了国内领先、国际先进水平的电子迁移率(4.8K)高达百万的2DEG材料和高质量、器件级HEMT和P-HEMT结构材料的基础上,又发展了应变自组装In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs,InAs/InAlAs/InP和InAs/InGaAs/InP等量子点、量子线和量子点(线)超晶格材料生长技术,并初步在纳米尺度上实现了对量子点(线)尺寸、形状和密度的可控生长;首次发现InP基InAs量子线空间斜对准的新现象;成功地制备了从可见光到近红外的量子点(线)材料,并研制成功室温连续工作输出光功率达4瓦(双面之和)的大功率量子点激光器,为当时国际上报道的最好结果之一;红光量子点激光器和InGaAs/InAlAs、GaAs/AlGaAs量子级联激光器与探测器材料及其器件的研究水平也处在国际的前列;2001年,他作为国家重点基础研究发展计划973项目“信息功能材料相关基础问题”的首席科学家,又提出了柔性衬底的概念,为大失配异质结构材料体系研制开辟了一个可能的新方向。

上述研究成果曾获国家自然科学二等奖和国家科技进步三等奖,中国科学院自然科学一等奖和中国科学院科技进步一、二和三等奖,何梁何利科学与技术进步奖,国家重点科技攻关奖以及优秀研究生导师奖等十多项;从1983年以来,先后在国外著名学术刊物180多篇,培养博士、硕士和博士后百余名。

新科技革命的起点

硅集成电路的器件尺度不可能无限减小,摩尔定律在硅器件尺寸减小到一定程度的时候,会遇到量子效应、功耗问题、隧穿问题等等,这就限制了现有模式的继续发展。国际上预计,2023年硅集成电路器件的最小尺寸将达到10纳米左右。

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